简述肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷的不同之处。

肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷是晶体中两种典型的点缺陷，它们的不同之处主要体现在以下几个方面：缺陷形成机制肖特基缺陷：是由于晶体表面附近的原子热运动到表面，在原来的位置留出空位，然后内部邻近的原子再移到这个空位上，这样逐步形成一排空位，并向晶体内部延伸。

本质上是晶体中同时形成数量相等的阳离子空位和阴离子空位，整体电中性得以维持。

例如在氯化钠晶体中，会同时出现钠离子空位和氯离子空位。

弗伦克尔缺陷：是晶格中的原子（通常是半径较小的阳离子），因热运动获得足够能量，离开原来的晶格位置，挤入晶格间隙位置，形成间隙原子，而原来的位置则成为空位。

只涉及原子从正常格点到间隙位置的迁移，不改变晶体的化学组成和整体电中性。

比如在卤化银晶体中，银离子容易形成弗伦克尔缺陷。

对晶体密度的影响肖特基缺陷：由于晶体中出现了空位，单位体积内的原子数目减少，所以晶体的密度会明显下降。

弗伦克尔缺陷：晶体中的原子只是从晶格位置迁移到间隙位置，晶体的总体原子数目不变，单位体积内的质量基本不变，因此对晶体密度的影响很小，可以忽略不计。

缺陷浓度与温度的关系肖特基缺陷：其形成主要取决于原子从晶体内部迁移到表面的难易程度，随着温度升高，原子热运动加剧，更多原子有能力迁移到表面形成空位，肖特基缺陷浓度随温度升高而显著增加。

弗伦克尔缺陷：形成需要原子克服较大的能量势垒从晶格位置进入间隙位置，虽然温度升高也会使缺陷浓度增加，但相比肖特基缺陷，其浓度受温度影响的变化幅度相对较小。

常见出现的晶体类型肖特基缺陷：在离子晶体中较为常见，尤其是那些正、负离子半径相差不大的晶体，如碱金属卤化物等。

因为这类晶体结构中，离子排列紧密，空位形成相对容易。

弗伦克尔缺陷：在一些正、负离子半径相差较大，且晶体结构中有较大间隙空间的晶体中更容易出现，如卤化银晶体等。

较小的阳离子能够比较容易地进入间隙位置形成缺陷。

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